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东芯股份：公司深度报告：利基存储冉冉新星，创芯动能穿越周期

admin2023-10-26 17:31 15人已围观下载完整内容

简介东芯股份(688110)投资要点：国内领先的存储芯片设计厂商，聚焦中小容量存储芯片赛道。东芯股份成立于2014年，主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、

东芯股份(688110)

投资要点：

国内领先的存储芯片设计厂商，聚焦中小容量存储芯片赛道。东芯股份成立于2014年，主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP。公司营收从2018年的5.10亿元增长至2022年的11.46亿元，CAGR为22.43%，2022年公司毛利率达41%，附加值较高。

公司所处利基型存储市场空间约为135亿美元，国产化空间巨大。根据Gartner数据，预计2023年SLCNAND市场规模达24亿美元，SLCNAND写入速度快、成本相对NOR低，在嵌入式市场、5G基站、先进驾驶辅助系统中广泛应用。NOR在小规模存储领域具备读取速度快优势，2022年市场规模达32亿美元。据Trendforce统计，2021年利基型DRAM市场规模约为90亿美元，占DRAM总体市场规模的10%左右。利基型存储芯片在成本、读写速度、寿命、容量大小等指标上各有优势，因此可以适用于不同的特殊场景，长期看市场需求保持稳定增长。测算公司产品收入，2022年在全球SLCNAND、NORFlash、利基DRAM占有率分别是4.03%、0.31%、0.14%，公司中长期发展空间巨大。

公司以SLCNAND筑基，产品结构不断升级；同时发力NOR与利基DRAM，产品不断突破。2018-2022年，公司NAND业务收入由1.77亿元增长至7.08亿元，近五年CAGR达41%，2022年SLCNAND收入占比为62%，是公司主要产品。目前NAND产品38、2xnm已经在海内外代工厂量产，1xnm产品国内某代工厂在研。公司NOR目前是55、48nm量产，产品竞争力或将不断提升。DRAM产品目前以DDR3、LPDDR4为主，DDR4X在研，DRAM产品都是海外某代工厂2xnm制程生产。

公司中长期持续加码研发和技术升级，差异化竞争利基市场。公司产品可靠性正在逐步从工业级标准向车规级标准迈进，目前公司NAND及NOR均有产品通过AEC-Q100，也将适用于更严格的车规级应用环境。公司自主研发产品技术拥有内置4比特或8比特ECC、高速SPI接口等16项具备自主知识产权的技术。公司产品进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名龙头客户的供应链体系。

首次覆盖，给予“买入”评级。国内存储芯片的自给率仅15.70%，公司作为国内SLCNAND龙头，有望受益替代头部厂商空出的利基市场；同时公司打开Nor与利基DRAM市场，多线路发展推动公司高增长。预计公司2023-2025年归母净利润分别为0.80、3.04、4.42亿元，当前市值对应2023-2025年PE为196、52、35倍，给予“买入”评级。

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