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开源证券：异质结行业深度报告：HJT系列报告二：硅片薄片化+吸杂，可较好实现HJT电池降本增效

admin2023-02-17 14:30 118人已围观下载完整内容

简介硅片薄片化及吸杂为HJT重要降本增效方式HJT降本增效方式主要包含“三减一增”+提效。减少银浆消耗和减少主栅线银耗主要是降低金属化成本，减少硅料用量主要为减少硅

硅片薄片化及吸杂为HJT重要降本增效方式

HJT降本增效方式主要包含“三减一增”+提效。减少银浆消耗和减少主栅线银耗主要是降低金属化成本，减少硅料用量主要为减少硅成本，增加光吸收量为减少光学损失，提效可摊薄各环节通量成本。2022年底HJT电池中硅成本占比71%，为HJT电池成本第一大项，通过硅片薄片化可直接降低硅成本，通过吸杂工艺可降低硅成本和提升转换效率。

HJT适用更薄硅片，100元/kg硅料价格下每减薄10μm可降本1.6分钱/W

HJT电池为全对称结构，制造工艺流程简单，且由于非晶硅层存在制造过程最高温度不超过200℃。PERC和TOPCon电池最低需要850/900℃，且由于均为非对称电池结构，烧结过程由于内部应力不一致容易导致硅片翘曲，增加电池及组件失效风险，因此薄片化潜力相对较小。HJT电池由于对称结构+低温工艺，不容易引起硅片翘曲更适合薄片化降本。HJT电池通过薄片化，在多晶硅致密料价格约200元/kg下，硅片每减薄10μm在25.5%转换效率下可降低硅成本约0.016元/W，若硅料价格回落到100元/kg，对应0.008元/W。

HJT导入硅片吸杂可同时降本提效，并提升整体经济性

吸杂技术是减少硅片的加工和工艺过程的污染、改善硅片的性能的一种非常有效的方法，通过管式扩P或者链式涂覆P源后高温扩散可降低硅片中杂质含量。通过导入吸杂工艺，可降低HJT电池硅料采购要求实现降低硅成本；通过硅片品质改善可减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压,从而提高HJT电池光电转换效率提升超过0.15%；通过提效带来单瓦硅成本下降，以及电池组件环节除设备投资外非硅成本下降，预计导入吸杂工艺可降低HJT组件成本约0.6分钱/W。

随着HJT产业发展，硅片薄片化及吸杂产业链均有望受益

HJT电池通过硅片薄片化可降低硅成本，通过吸杂可降低硅成本及提升组件整体经济性，随着产业发展，硅片薄片化及吸杂环节产业链均有望受益。受益标的：TCL中环、高测股份、宇晶股份、奥特维。

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