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中航证券：电子：光刻机燃眉之急暂解，直接利好上游设备材料

admin2023-09-01 14:30 64人已围观下载完整内容

简介事件：据路透社报道，当地时间8月31日，ASML证实公司可在2023年底前向中国大陆客户出口先进浸没式DUV，包括TWINSCANNXT:2000i及更先进的型

事件：

据路透社报道，当地时间8月31日，ASML证实公司可在2023年底前向中国大陆客户出口先进浸没式DUV，包括TWINSCANNXT:2000i及更先进的型号，EUV仍在禁运清单内。2024年起，上述先进设备将较难获得出口许可证。

制裁情况优于此前预期，解行业燃眉之急

从光刻机制裁的时间线来看，2023年初美日荷三国领导人会晤，计划联合制裁，随后日本管制条例陆续披露、定稿并于7月23日正式实施，Nikon的高端DUV受限。3月8日荷兰政府公告拟对华限制出口“最先进”的DUV光刻设备，6月30日正式出台管制措施，并定于9月1日正式落地。自3月以来，ASML一直将“最先进”理解为NXT:2000i及之后的浸没式设备，即上述机台无法出货，1980Di不受影响，且9月1日后无法再发货。

而从路透社最新报道来看，有明显超预期的表现，一是中国大陆客户可以收到套刻精度、产率更高的机台；二是延长了出货的时间窗，有望获得更多机台。

中国大陆晶圆厂积极准备光刻机，保障后续产能规划

2023Q2，ASML共确收39台浸没式DUV（22Q2为21台，23Q1为25台），占设备总收入的49%；23Q2公司来自中国大陆的收入约13.5亿欧元，同比+225%，环比+215%，占比飙升至24%。且公司积压的380亿欧元在手订单中（截至23Q2末），中国大陆的积压量超过20%。从ASML的业绩可见，中国大陆的诸多Fab正积极采购以满足后续扩产需求。据我们统计，未来3年，中国大陆晶圆产能有望以远超行业的速度增长，23-25年同比增长18.8%/19.6%/17.4%，自主产能逐步爬坡，到2025年8&12英寸的自主产能占比将提升至17%。

成熟制程扩产无忧，先进制程有望突破，直接利好上游设备、材料。

台积电第一代7nm工艺N7是基于NXT:1980i+多重曝光（SADP/SAQP）实现的。光刻机性能的三大核心指标分别是分辨率（CD）、套刻精度（overlay）、和产率（throngput，wph）。ASML最新推出的先进浸没式DUVNXT:2100i，单次曝光的分辨率与1980Di保持一致，但套刻精度较1980Di有明显的提升，DCO（单设备套刻精度）从1.6nm提升至0.8nm，MMO（混合套刻精度）从2.5nm提升至1.3nm，产率从275wph提升至295wph。整体而言，更有利于实现多重曝光，且效率更高，且2100i尤其适用于DRAM制造。我们认为，光刻机是目前国内最“卡脖子”的关键环节之一，本次延长先进光刻机出货，国内成熟晶圆厂可以顺利扩产，且先进制程突破可期；叠加近期华为Mate60的王者回归，也提振了板块的投资信心，建议积极布局半导体设备&材料环节。

从长期看，光刻机自主可控仍为大势。

尽管荷兰光刻机制裁的情况好于预期，但明年后，高端光刻机将断供；且据此前彭博社报道，ASML未来被限制为受控设备进行维护、修理和提供备件的隐忧仍在。在此情况下，无论是整机自研配套零部件，或是备件更换都会更多依赖国内零部件供应商。且光刻机零部件成本占比高、市场空间大，2022年ASML设备收入154亿欧元，产品相关的供应链支出86亿欧元，超过5成。我们认为从长期看，光刻机上游零部件依旧具备投资价值。

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