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中泰证券：电子2023三季报业绩分析和总结：存储板块三季报总结：营收持续环比改善，重点关注价格变化

admin2023-11-27 11:33 42人已围观下载完整内容

简介大陆情况：23Q3营收整体继续环增、毛利率迎来拐点环比改善，其中模组营收和毛利率改善程度优于设计。我们重点分析了大陆14家存储板块公司2023单三季度财务情况，

大陆情况：23Q3营收整体继续环增、毛利率迎来拐点环比改善，其中模组营收和毛利率改善程度优于设计。

我们重点分析了大陆14家存储板块公司2023单三季度财务情况，其中6家存储设计（兆易、君正、普冉、东芯、聚辰、恒烁），4家存储模组（江波龙、佰维、德明利和朗科），2家代理（香农和中电港），1家封测（深科技）和1家其他设计（澜起科技）。6家存储设计公司均是利基存储厂商，其他8家均为主流存储相关厂商。我们从营收、盈利能力和存货角度重点分析存储设计和模组板块。

1）板块成分股：设计板块中兆易和君正营收合计占比79%，23Q3兆易占比43%，君正占比36%；模组板块中，23Q3江波龙占比61%。佰维存储占比21%，江波龙和佰维存储营收占比合计84%，江波龙对板块趋势影响大。

2）营收：23Q3营收整体持续环增，模组环增幅度大于设计。23Q314家公司中10家公司营收环增，整体延续Q2环增趋势，Q3环增幅度4%~35%不等；从营收环增幅度看，4家模组中3家营收环增，环比变化+29%~+34%，仅朗科环比-9%，6家存储设计公司中，4家营收环增，环比变化+4%~+14%，兆易和聚辰营收环比-12%和-17%；模组公司营收同比在Q3率先转正，设计公司营收同比降幅收窄。

3）毛利率：23Q3设计和模组毛利率首次环增，设计毛利率高于模组，但模组毛利率改善幅度整体大于设计。23Q3设计板块毛利率34%，模组板块毛利率4%，设计毛利率高于模组，设计公司毛利率8%~44%不等，分化较大，模组公司毛利率-2%~6%，差异较小。14家公司中8家公司23Q3毛利率环增，其中设计板块毛利率环比+3%，6家设计公司中3家毛利率环增，环比+1~+7pcts；模组板块毛利率环比+4pcts，4家模组公司毛利率环增，朗科环比持平，另外3家毛利率环比+3~8pcts。Q3利基存储未涨价、主流存储产品价格有所上涨，设计公司毛利率改善主要是因为晶圆成本下降及产品结构调整，模组公司毛利率改善主要是因为涨价。

4）净利润：23Q3业绩承压，模组亏损幅度收窄，设计盈利能力分化。23Q314家公司中7家公司亏损，其中4家模组公司全部处于亏损状态，Q3亏损幅度整体收窄，6家设计公司盈利能力分化，兆易、聚辰净利润为正，东芯、普冉和恒烁利润为负，其中普冉亏损幅度收窄。

5）存货：设计和模组存货趋势相反，设计公司存货连续2个季度下降、但仍处较高位位置，模组公司存货连续3个季度上升。14家公司中8家公司存货上升，4家模组公司存货均上升，其中德明利存货周转天数高达339天，设计公司存货情况有所分化。

海外情况：23Q3营收整体继续环增，受益主流存储涨价叠加DDR5、HBM等高附加值产品出货量增加，主流存储IDM毛利率改善，但利基存储IDM毛利率继续承压，库存持续去化。非大陆存储，重点分析7家IDM厂商三季报，其中三大原厂和铠侠为主流存储IDM，华邦、旺宏和南亚为利基存储IDM。

1）营收：23Q3营收继续环增，主流存储厂商营收环增幅度大于利基存储厂商。整体营收环增（除旺宏环比-5%外），环比+1%~+24%，其中主流存储厂商环比+3%~+24%，利基存储+1%~+7%，其中海力士环增幅度亮眼，环比+24%。

2）毛利率：23Q3毛利率趋势分化，主流存储厂商毛利率环增，利基存储毛利率未见改善、环比向下。除三星外，三家公司毛利率-25%~32%，差异较大，其中美光和南亚为负毛利率，海力士毛利率转正，华邦和旺宏毛利率为32%/24%。从毛利率环比变化看，海力士、美光毛利率环比+17pcts、+7pcts，南亚和旺宏毛利率环比-4pcts和-14pcts，华邦毛利率环平，三大主流存储原厂毛利率改善程度大于利基存储原厂，主要系主流存储价格Q3开始上涨，同时DDR5、HBM等高附加值产品出货量增加改善毛利率。（注：海外厂商存货跌价损失计入毛利率）。

3）净利润：23Q3净利润趋势分化，主流存储厂商净利润仍处亏损、但亏损明显收窄，利基存储厂商净利润转亏。除去三星，剩余3个主流存储厂商仍处于较大亏损状态，但亏损幅度较Q2收窄，南亚Q3亏损幅度扩大，华邦和旺宏转亏，主要系Q2微利，Q3毛利率没有改善，Q3净利润压力加大。（Q3利基存储未涨价，大陆利基存储设计公司毛利率改善是来自Fabless模式，中国台湾利基存储采用IDM模式，稼动率拖累毛利率水平，故毛利率环比向下，与大陆产生差异）。

4）存货：23Q3存货下降趋势，7家公司存货周转天数130~280天不等，处于较高水平。

10月存储合约价首次全线上涨，存储价格拐点已至。

1）10月合约价：DRAM连续几月止跌后，首次全线上涨，DDR2合约价涨幅2-3%，DDR3涨幅3-5%，DDR4涨幅6-15%，DDR5涨幅11-12%；NANDMLC全线上涨，涨幅1-2%，SLC全线止跌。

2）11/06-11/10的现货价：。DRAM颗粒周变化-6%~+2%，8个料号周价格上涨（其中DDR416Gb、DDR48Gb、DDR44Gb8个料号涨幅0.5%~3%）。NAND颗粒周变化-2%~+1%，NANDwafer周变化0%~+7%，512GbTLCwafer自9月中旬已上涨+52%，

本周较上周+7%。

投资建议：存储赛道三重逻辑共振，涨价+国产化+AI创新，属于板块性机会，再次建议

重点关注，相关标的：

1）HBM产业链：香农芯创/赛腾股份/联瑞新材/华海诚科/雅克科技等

2）弹性模组端：德明利/江波龙/佰维存储/朗科科技等

3）上游设计端：兆易创新/东芯股份/普冉股份等

风险提示：行业需求不及预期的风险、大陆厂商技术进步不及预期、中美贸易摩擦加剧、研报使用的信息更新不及时的风险、报告中各行业相关业绩增速测算未剔除负值影响，计算结果存在与实际情况偏差的风险

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