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山西证券：存储行业深度报告：把握行业周期反转机会，存储产业链国产替代空间大

admin2024-04-17 17:30 34人已围观下载完整内容

简介投资要点：供给端：库存趋于正常化，三大存储原厂资本支出聚焦于HBM、DDR5等高端存储，行业整体产量增长有限。随着三大存储原厂持续降低资本开支、减产调节库存，以

投资要点：

供给端：库存趋于正常化，三大存储原厂资本支出聚焦于HBM、DDR5等高端存储，行业整体产量增长有限。随着三大存储原厂持续降低资本开支、减产调节库存，以控制市场过剩的供应总量，海外存储芯片库存水位正趋于正常化。根据Bloomberg数据，海力士存货较前期的高位水平有所回落，三星、美光库存增速放缓，美光也在此前FY24Q1财报中披露，PC、手机、汽车、工业等终端市场中的存储库存已经处在或者接近正常水位，数据中心的存储库存表现正在改善，预计到2024年上半年接近正常水位。2024年三大存储原厂在HBM、DDR5等高端存储产品的扩产趋势明确，且HBM和现有DDR产品相比，HBM尺寸更大、需要底部缓冲芯片，进一步限制了非HBM存储产品的产量。

需求端：下游市场复苏叠加AI浪潮驱动，提振存储需求，单机搭载容量提升或成为需求增长的主要驱动力。存储下游主要应用市场是智能手机、PC和服务器，新品发布叠加AI新生态推动智能手机迎来换机潮，Canalys预计2024年全球智能手机出货量同比增长4%；PC去库存见效，叠加AIPC刺激，PC市场逐步复苏，Canalys预计2024年全球PC出货量同比增长8%；AI服务器出货量的快速增长正在抵消通用服务器迭代的延迟，根据TrendForce数据，2024年全球服务器出货量预计同比增长2.05%。但DRAM和NAND单机搭载容量提升或成为存储市场需求增长的主要驱动力，根据美光测算，一台AI服务器DRAM使用量是普通服务器8倍，NAND使用量是普通服务器3倍，而随着智能手机渗透率提升、AI端侧应用落地，2024年DRAM和NAND的单机容量预期也有双位数以上增长。

价格上涨趋势明确，存储进入新一轮上行周期，把握行业周期反转机会。上游存储晶圆价格自2023Q3开始触底反弹，2023年9月现货均价低点至2024年3月已上涨30%，上涨趋势明显，上游晶圆价格被拉高后，由于下游模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，存储模组价格也随之走扬，存储进入新一轮上行周期。考虑到三大存储原厂营业利润率距离历史高点还有很大上升空间，我们认为原厂仍有涨价意愿，以及存储价格在每轮上行周期至少持续6-8个季度上涨，本轮上行周期存储价格仅上涨了2个季度，所以存储涨价趋势或将持续更久。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善，存储厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在较大的反弹空间。

HBM和DDR5高端存储需求提升，长期看好存储产业链国产化。处理器升级推动DDR5渗透率快速提升，预计2023年DDR5渗透率有望达到25%-30%，2024年年中渗透率可能超过50%。受益于人工智能需求爆发，根据TrendForce数据，预计2024年HBM全球市场规模将达到169亿美元。从工艺角度看，主流厂商已进入到对应10nm/12nm制程节点的贝塔工艺，长鑫已经开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片，月产量高达10万片晶圆，同时预计将有更多HBM和DDR5相关规划，长存2022年初率先实现232层3DNAND量产，首次领先海外厂商。内存芯片和模组国产化是关键，长鑫和长存的快速发展势必将加速存储产业链的国产化。

重点公司关注：存储仍具有较好成长性，看好行业周期反转的确定机会，及产业链国产化趋势下的投资机遇。建议关注：1）存储模组：佰维存储、德明利、江波龙；2）存储芯片设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份；3）模组侧配套芯片：澜起科技、聚辰股份；4）HBM产业链：长电科技、通富微电、甬矽电子；赛腾股份、精智达；华海诚科、联瑞新材（化工组覆盖）；香农芯创。

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